エレファンテック株式会社
会社概要
- 社名
- エレファンテック株式会社
- 所在地
- 東京都中央区
- 研究テーマ
- 銅ナノマテリアルを用いた、半導体・プリント基板(PCB)の高性能化と低環境負荷化。必要な部分にだけ金属を堆積させる「ピュアアディティブ法」を実用化しています。
どんな技術?
エレファンテックの中核は、独自開発の銅ナノマテリアルを活用した、まったく新しいプリント基板の製造プロセスです。従来のPCB製造は、銅箔を全面に貼り付けてから不要な部分をエッチングで削り取る「サブトラクティブ製法」が主流で、原料の多くを廃棄してしまう構造的な無駄を抱えていました。エレファンテックは逆に、必要な配線部分にだけインクジェットで金属ナノ粒子を印刷し、無電解めっきで成長させる「ピュアアディティブ製法」を採用。素材レベルから、PCB製造のあり方を再設計しているのです。
社会にどんな変化をもたらすか?
半導体/PCBは、スマートフォン、自動車、通信インフラなど、社会のあらゆる電子機器の土台です。エレファンテックの技術が普及すれば、エレクトロニクス産業全体の製造コスト削減と環境負荷削減が同時に進みます。材料の無駄を構造から減らすこの技術は、サプライチェーン全体のサステナビリティを変える可能性を持っています。
TopoLogic株式会社
会社概要
- 社名
- TopoLogic株式会社
- 所在地
- 東京都文京区本郷(東京大学アントレプレナープラザ内)
- 研究テーマ
- 東京大学・中辻知教授の研究グループが開発する「トポロジカル磁性体」の社会実装。量子力学に基づく新素材で、半導体の常識を書き換えるデバイスを開発しています。
どんな技術?
TopoLogicが扱うトポロジカル磁性体は、物理学の最先端で研究されてきた新原理の材料です。これを用いた半導体デバイスを、同社は2つの軸で開発しています。1つは、従来比で格段に容量が大きいキャッシュメモリ代替技術。もう1つは、従来比100倍高速で発熱を検知する熱センサです。いずれも、既存半導体産業の延長線上ではなく、物理原理から異なる技術となっています。
社会にどんな変化をもたらすか?
キャッシュメモリ代替技術は、AI学習用プロセッサの並列処理能力を劇的に向上させます。生成AIの計算負荷が指数関数的に増大するなか、メモリの容量と速度のボトルネックを解く意義は大きいといえます。一方、100倍高速の熱センサは、EVバッテリーの熱暴走の早期検知や不良検知に応用でき、電動化社会の安全性を底上げします。AI時代と電動化時代の両方に、深く食い込む技術です。
SUiCTE株式会社
会社概要
- 社名
- SUiCTE株式会社
- 所在地
- 静岡県浜松市中央区
- 研究テーマ
- 静岡大学発のイメージセンシングデバイス企業。20年以上の研究・事業経験で培った「高速・高感度・耐放射線」技術をベースに、宇宙用リモートセンシング向けのCMOS/CCDハイブリッド型センサを開発しています。
どんな技術?
SUiCTEの中核は、CMOS/CCDハイブリッド型TDIセンサという独自アーキテクチャです。CMOSとCCDは、それぞれにメリットと弱点があるイメージセンサの2大方式ですが、SUiCTEはこの2つを組み合わせることで、宇宙用途に求められる高速性、高感度、耐放射線性を同時に成立させました。20年以上にわたる大学研究と事業経験の蓄積が、この独自アーキテクチャの土台になっています。
社会にどんな変化をもたらすか?
近年、低軌道に多数の小型衛星を打ち上げる「衛星コンステレーション」が世界的に普及し、宇宙センサの需要は急速に拡大しています。一方、これまで宇宙用センサは海外大手に依存してきました。SUiCTEは、企画から量産までを浜松市拠点で一貫体制化し、低コスト・短納期で高性能な国産宇宙センサを安定供給することを目指しています。日本の宇宙産業のサプライチェーン自立に、重要なピースを提供する企業です。
株式会社FLOSFIA
会社概要
- 社名
- 株式会社FLOSFIA
- 所在地
- 京都府京都市西京区
- 研究テーマ
- 京都大学発のスタートアップとして、世界に先駆け「コランダム型酸化ガリウム(α-Ga₂O₃)」を用いたパワーデバイスを製品化。独自の成膜技術「ミストドライ®法」と、P型半導体層の世界初克服を技術基盤とする。
どんな技術?
FLOSFIAは、コランダム型酸化ガリウム(α-Ga₂O₃)という新材料を、商用パワー半導体に世界で初めて実用化した企業です。鍵となるのが2つの独自技術。1つは「ミストドライ®法」と呼ばれる成膜技術で、真空装置が不要、かつ低温で結晶を成長させられるため、製造コストを大幅に下げられます。もう1つは、酸化ガリウム最大の課題だったP型半導体層を世界で初めて克服したことです。主力製品のMOSFETでは、トレンチゲート型で10A超のノーマリオフ動作を世界初達成しています。
社会にどんな変化をもたらすか?
パワー半導体は、EV、再生可能エネルギー、産業機器など、電力を扱うあらゆる現場で電力変換損失を左右する基幹部品です。コランダム型酸化ガリウムは、シリコンや次世代材料SiC(炭化ケイ素)と比べてもバリガ性能指数が桁違いに高く、同等性能を低コストで実現できる「ポストSiC」材料として期待されています。FLOSFIAは「セミファブレスモデル」で資本効率の高い事業展開を目指しており、日本発のパワー半導体が世界市場に出ていく現実的なシナリオを描いています。