市場課題|GaN基板の欠陥とセンサーの電池交換に課題

原子間隔のずれがGaNに欠陥
GaNの膜を育てる土台として主に使われるサファイアやシリコンの基板は、GaNと原子の並ぶ間隔(格子定数)が10%以上ずれており、膜に多くの欠陥を生みます。GaNは、青色LEDやパワー半導体(電力の変換や制御に使う半導体)の材料です。GaNの欠陥が多いほど、LEDの効率や半導体レーザーの歩留まり、素子の寿命が下がりやすくなります。
センサーの電池交換が負担
設備や建物を見守る無線センサーでは、電池の交換が保守の負担になります。ボタン電池などの電池を電源とするセンサーは、寿命が来るたびに交換が必要です。このままでは、センサーの数を増やすほど交換作業が膨らみ、見守る範囲を広げにくくなる恐れがあります。
他にも、GaNそのもので作る基板が小型で高価なこと、複数の元素からなる新しい結晶の育てにくさ、大口径の結晶を育てる難しさ、といった課題があるといわれています。
- 格子定数結晶の中で原子が繰り返し並ぶ間隔を表す長さ。基板と、その上に成長させる膜とで格子定数が異なると、ずれを埋めきれずに膜の中に欠陥が生じる。


