市場課題|検査が微細化に追いつきにくい

積層と微細化で検査点が急増
半導体の積層化と微細化が進み、1枚のウェハで確かめる検査点が急増しています。記憶素子を縦に積み上げる三次元フラッシュメモリでは層数が増え続け、深く細い穴を膨大な数だけ同じ形に開ける工程が必要です。検査点が増えるほど、1枚を調べ切る時間は長くなります。
深い穴の内部は評価が難しい
積み上がった構造の奥の評価は困難です。光で調べる光学式の検査では、開口が細く深い高アスペクト比(深さと幅の比が大きい形状)の穴は底まで光が届きにくく、捉えられる範囲が限られます。電子ビームを使う検査は細部まで見分けられますが、走査に時間を要するため、多数を順に見る用途には不向きです。
検査の負担は、穴の形の確認にとどまりません。他にも、欠陥の位置を絞り込む解析の手間、動作を電気的に確かめる探針(回路に当てる細い針)の接触、装置ごとの検査レシピの調整、といった課題があるといわれています。
- 高アスペクト比穴や溝の深さを、その幅で割った値が大きい形状を指す。三次元フラッシュメモリの穴は層を重ねるほど深くなり、底部まで光や探針が届きにくいため、内部の評価が難しくなる。


