市場課題|SiCウエハは欠陥が残り、品質をそろえにくい

結晶と加工の欠陥で性能低下
SiCのウエハは、結晶の成長段階から、原子配列の乱れである欠陥を多く含む材料です。表面を機械で削って磨く加工でも、傷やひずみといった欠陥が新たに生じ、性能を十分に発揮できないことがあります。このままでは、歩留まり(製造した製品のうち良品となる割合)が上がりにくくなりかねません。
品質差の原因を特定しにくい
品質のばらつきは、原因を特定しにくい課題です。同じインゴット(結晶のかたまり)から切り出したウエハでも、品質に差が出ることがあります。結晶と加工の品質は互いに影響し合うため、原因の切り分けが、改善の前提になります。
結晶に加える窒素の量のばらつきは、ウエハの硬さに差を生み、加工後の仕上がりのばらつきにつながります。熱によるウエハの反りも、研磨時の接触のむらを生む要因です。他にも、結晶欠陥、結晶の歪み、積層欠陥、といった課題があるといわれています。
- 歩留まり製造した製品のうち、規格を満たす良品の割合を指す。ウエハの欠陥が多いほど不良品が増えて低下し、同じ原料と工程でも得られる良品が減るため、製造コストに影響する。






