市場課題|半導体の発熱が増え、機器を冷やす負担が大きくなっている

発熱が集中し冷却器の負担増
半導体の小型化と大電力化が進み、素子(半導体チップ)の面積あたりの発熱密度が高まっています。SiC(炭化ケイ素)を使うパワー半導体では、発熱密度が1平方センチメートルあたり300〜500ワットに達します。発熱密度が高まるほど素子の温度は耐熱の限界に近づき、冷却器にはより多くの熱を運び去る力が必要です。
サーバーの冷却電力が増加
データセンターでは、サーバーを冷やす空調の電力が増える傾向にあります。生成AIの普及で処理する情報量が増え、サーバーの発熱量が高まるためです。空冷では局所的な高温が生じやすく、ラック(サーバーを収める棚)に積むサーバーの電力を低く制限して運用する施設が多いとされます。
他にも、電気自動車の駆動系の半導体でも放熱の確保が求められます。冷却水の配管や設備の維持、部品の小型化で狭くなる冷却器の設置スペース、といった課題があるといわれています。
- 発熱密度素子などの単位面積あたりに発生する熱の量を指す。同じ量の熱でも、狭い面積に集まるほど発熱密度は高くなり、その面から熱を運び去る冷却の能力がより強く求められる。






