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「空孔の規則度制御でフェリ磁性体の補償温度をコントロール」
東北大学金属材料研究所の梅津理恵教授らの研究グループは、島根大学、九州大学、海洋研究開発機構(JAMSTEC)、産業技術総合研究所、大阪大学、株式会社アカデメイアと共同で、鉄・クロム硫化物((Cr,Fe)7S8)の製造プロセスを最適化し、フェリ磁性体の補償温度を制御することに成功したと発表しました。研究グループは、1323K および 1423K という高温域から急冷することで、不純物であるスピネル相の析出を抑えた単相を得ました。急冷温度を変えると結晶内の原子空孔の規則度をナノレベルで制御でき、1323Kから急冷した試料では磁化がゼロになる磁化補償温度が約200Kだったのに対し、1423Kからの場合は約90Kと100K以上変化したとしています。また1323Kから急冷した試料は5Kにおいて38kOeの磁気保磁力を示しました。第一原理計算(Akai-KKR)による電子状態の計算では、本物質が片方のスピンの電気伝導性のみをほぼ100%通すハーフメタル型電子状態を有することが示されたとしています。成果は2026年8月4日に学術誌 Small にオンライン掲載されました。
出典:東北大学・九州大学 2026年8月4日 プレスリリース
https://www.kyushu-u.ac.jp/f/67070/26_0804_02.pdf



